삼성전자 반도체 사업 전반이 다시 주목받고 있다. 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 이어져 온 인공지능(AI) 수요 훈풍이 파운드리까지 확산될 수 있다는 기대감이 커지고 있어서다. 특히 ASML의 올해 1분기 실적에서 한국향 극자외선(EUV) 장비 반입이 급증한 사실이 공식 수치로 확인되면서, 차세대 메모리 증설과 선단 공정 투자 확대에 다시 힘이 실리는 분위기다.

15일(현지시간) ASML 실적 발표에 따르면 회사의 1분기 순시스템 매출은 87억6700만 유로를 기록했다. 이 가운데 한국 고객사 매출 비중은 45%로, 전 분기 22%에서 두 배 이상 뛰었다. 메모리 고객 비중 역시 절반을 웃돌며 AI 메모리 증설 수요가 장비 실적으로 본격 반영된 것으로 풀이된다.

업계는 이번 ASML 실적이 삼성전자 신규 팹 장비 반입이 실제 수치로 드러난 첫 사례로 평가한다. 삼성전자는 평택 P4(4공장)를 차세대 HBM4용 1c D램 증설 거점으로 활용하고 있으며 P4 2라인(Ph2)는 당초 파운드리 검토 라인에서 HBM4 전용 라인으로 중장기 계획이 확정된 것으로 전해졌다.

업계에 따르면 본 공사는 올해 2분기 착수를 목표로 준비 중이며 중단됐던 P5 골조 공사 역시 재개 수순에 들어간 것으로 전해지며 평택캠퍼스 전반의 증설 기조가 뚜렷해지고 있다.

메모리 부문에서는 HBM4가 핵심 축이다. 삼성전자의 전체 D램 생산능력은 월 65만 장 수준으로 기존 1c D램 라인은 월 6만장 규모에서 올해 말 20만 장 수준까지 확대가 추진되고 있다. 여기에 HBM4용 증설 물량만 월 11만장 가량 추가될 것으로 전망되고 있다.

HBM3E에서 경쟁사에 내줬던 주도권을 HBM4에서 만회하겠다는 전략으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 HBM4 양산 준비에 속도를 내는 한편, HBM4E와 커스텀 HBM 등 후속 제품 로드맵도 함께 준비 중인 것으로 알려졌다.

장비 측면에서도 선단 공정 고도화가 속도를 내고 있다. 삼성전자는 화성캠퍼스를 중심으로 하이-NA EUV 장비를 순차 도입하는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다. 올해 1대 반입에 이어 내년 상반기 1대를 추가로 들여오는 방식으로, 총 투자 규모는 약 1조 원 수준으로 추정된다.

파운드리 경쟁사인 TSMC가 아직 양산용 하이-NA EUV를 들이지 않은 것과 비교해 삼성전자가 2nm 이하 선단 공정에서 선제적 포지션을 확보하려는 의도로 분석된다.

이와 함께 같은 날 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 차세대 AI5 칩 설계 완료를 직접 언급하며 삼성전자와 TSMC에 감사를 표한 점도 이목을 끌고 있다. 업계에서는 머스크가 공개한 시제품 사진 속 'KR2613' 각인을 두고 한국 생산 정황을 시사하는 것으로 해석하고 있다.

업계는 삼성의 2nm 공정 계열 기술이 적용됐을 가능성에 무게를 두고 있다. 차기 AI6 테이프아웃은 올해 12월로 전망되며 이 역시 삼성전자가 수주할 가능성이 거론된다. 아직 본격 양산 수주 규모가 확정된 것은 아니지만 메모리 중심으로 읽히던 삼성 반도체 AI 수혜 기대감이 파운드리까지 확대되는 양상이다.

관전 포인트는 실제 고객사 확보와 양산으로 이어질 수 있느냐다. HBM이 이미 실적 개선을 견인하고 있는 상황에서 파운드리까지 모멘텀이 붙을 경우 삼성 반도체 전반의 회복 기대감은 한층 커질 수 있다는 분석이 나온다.

업계 관계자는 "지금까지 삼성 반도체 훈풍은 사실상 HBM과 D램 중심이었다"며 "ASML 장비 실적과 머스크 발언이 같은 시점에 겹치면서 시장의 시선이 파운드리까지 옮겨가는 모습"이라고 말했다.