삼삼성전자가 1분기 사상 최대 영업이익을 기록한 가운데 적자 늪을 지나고 있는 파운드리 사업부의 반등 여부가 다음 관전 요소로 떠오르고 있다. 파운드리 사업부는 2나노(nm·10억분의1m) 공정 기술 고도화에 속도를 내며 테일러팹 수주 확대를 병행하는 등 반등 기반을 다지는 모습이다.

7일 국제고체회로학회(ISSCC) 2026 발표 자료에 따르면 삼성전자 파운드리는 2나노 극미세 공정의 최대 난제인 열밀도 문제를 해결하기 위해 기존 칩 하단에 위치했던 온도 센서를 상단 배선층으로 끌어올리는 기술을 개발했다. 당초 삼성전자 파운드리는 2나노 등 최선단 극미세 공정에서 발열과 면적 효율을 동시에 확보해야 하는 과제를 안고 있었으나 이를 해결하기 위한 온도 센서 설게자산(IP)을 내놓은 것으로 풀이된다.

또한 테일러팹이 최근 시운전 단계에 진입하며 가동을 위한 막바지 준비에 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 초미세 공정의 핵심 장비인 극자외선(EUV) 노광 장비 테스트가 시작됐으며 클린룸에는 식각·증착 등 주요 반도체 제조 장비가 순차적으로 반입되고 있다.

2나노 공정에는 삼성전자 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) '엑시노스 2600'을 생산한다. 해당 칩은 갤럭시S26 일반·플러스 모델과 올해 출시될 플립 신제품에 탑재될 전망이다. 테슬라의 AI칩 'AI5'와 'AI6'도 양산할 예정이다. 이에 내년부터 테슬라향 AI칩 매출이 본격 반영될 것으로 기대되는 분위기다.

아울러 퀄컴의 신규 AP 수주에도 성공해 2나노 공정 생산이 이뤄질 것으로 관측된다. 해당 AP 신제품을 활용하는 고객이 확보되는 시점부터 칩 양산에 들어갈 것으로 분석된다. 뿐만 아니라 비트코인 채굴용 주문형 반도체(ASIC)와 미국 자율주행 AI 반도체 기업 암바렐라의 첨단운전자보조시스템(ADAS) 2나노 칩 주문도 확보했다.

1.4나노 공정 개발에도 집중하고 있다. 당초 내년 양산을 목표로 했지만 수율 안정화 등 기술적 과제를 반영해 양산 시점을 2029년으로 조정한 바 있다. 업계에서는 삼성전자 파운드리 사업부가 2030년에는 1나노 공정을 도입한다는 목표를 세운 것으로 전해졌다.

대만 TSMC가 2028년 하반기 1.4나노 양산을 목표로 삼고 있으나 아직 1나노 생산 로드맵은 공식 발표하지 않은 상태다. 현재 2나노 공정이 가능한 업체가 TSMC와 삼성전자 두 곳에 불과한 만큼 양사의 1나노 공정 주도권을 둘러싼 경쟁도 치열해질 것으로 전망된다.

특히 수율과 기술이 안정화된 4나노 공정에서 HBM4 효과가 올해부터 본격 반영되고 있는 것으로 나타났다. 삼성전자는 HBM4에 10나노급 6세대(1c) D램 코어 다이와 파운드리 4나노 핀펫(FinFET)기반 베이스다이를 적용했다.

테일러팹을 중심으로 인력 확보에도 속도를 내는 모습이다. 테일러팹 일부 구역이 임시사용승인(TCO)를 취득한 만큼 전문 엔지니어의 현지 파견과 신규 인력 채용이 병행되고 있는 것으로 전해진다. 지난 2일에는 180건의 채용공고를 올리며 공정, 계측, 품질 관리, 공급망 관리, 인프라 등 라인 운영에 중요한 핵심 포지션에서 채용을 진행 중이다.

업계 관계자는 "HBM4 양산이 본격화되면서 메모리 부문의 수익성이 개선되는 동시에 파운드리 가동률도 점진적으로 올라갈 수 있다"며 "두 사업부의 흐름이 맞물릴 경우 적자 폭 축소 속도도 빨라질 수 있다"고 말했다.