글로벌 1위 파운드리 업체 TSMC를 중심으로 공급 병목 현상이 심화되면서 삼성전자 파운드리가 반사이익을 거둘 것이란 기대감이 커지고 있다. 삼성전자는 2나노(nm·10억분의 1m) 이하 첨단 공정을 동시에 수용할 복합 생산기지 구축에 속도를 내며 수요 흡수 기반을 확대하는 모습이다.

29일 대만 현지 매체 및 업계에 따르면 TSMC는 2028년까지 모든 주문 예약이 끝난 것으로 전해졌다. 빅테크 기업들의 폭발적인 수요가 몰리면서 생산능력이 이를 따라가지 못하는 상황으로 분석된다.

특히 대만 경제일보는 TSMC의 2나노 생산능력이 심각한 공급 부족 상태에 직면할 것으로 보인다고 보도했다. 최대 고객인 엔비디아도 충분한 물량을 받기 어려울 것이라는 전망이다. 2030년 양산 목표를 둔 미국 애리조나 4공장 역시 착공 전임에도 이미 예약이 상당 부분 선점됐다는 분석이 나온다.

브로드컴은 지난 24일 TSMC를 두고 더 이상 무한대의 생산능력을 보유한 기업으로 보기 어렵다고 평가했다. 그러면서 2026년 내내 공급 병목이 이어질 수 있다고 밝혔다.

이러한 상황에서 글로벌 빅테크들의 주문이 삼성전자로 몰릴 것이라는 전망에 힘이 실리고 있다. 현재 2나노 선단 공정을 수행할 수 있는 파운드리 업체는 TSMC와 삼성전자 두 곳에 불과하다. 그간 삼성전자는 상대적으로 낮은 수율 문제로 대형 수주에 어려움을 겪었으나 최근 2나노 공정 수율을 60% 이상 끌어올리며 빅테크 고객 유치 가능성을 높이고 있다.

이에 따라 삼성 파운드리는 국내외 생산 거점 확대에 속도를 내는 모습이다. 회사는 미국 텍사스주 테일러시에 약 370억달러(한화 약 53조 4000억원)를 투자해 파운드리 공장을 건설 중이다. 테일러팹1은 빠른 시간내에 시생산과 램프업을 거쳐 하반기에 본격 가동에 들어갈 전망이다.

파운드리뿐만 아니라 메모리 생산능력 확대에도 속도를 내고 있다. 평택캠퍼스 내 P4 팹은 당초 내년 1분기 준공이 예상됐으나 이를 올해 4분기로 앞당기는 방안이 검토되는 것으로 알려졌다. P4에서는 고성능 메모리 생산이 이뤄질 전망이며 최근에는 고대역폭메모리(HBM)에 적용되는 10나노 6세대(1c) D램 생산라인 구축 전략도 수립한 것으로 전해진다. 해당 라인에서는 월 10만~12만장의 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 분석된다.

평택 P5 공장 또한 당초 계획보다 장비 반입과 시험 가동을 위한 일정을 조율하는 단계로 전해진다. 해당 공장은 삼성전자 최초의 트리플 팹(3층 구조)으로 총 12개의 클린룸으로 구성된다.

일각에서는 삼성전자가 이러한 우호적 환경을 실제 수주 성과로 이어가기 위해서는 수율과 공정 안정성을 지속 입증해야 한다는 지적도 나온다. 테슬라 등 기존 고객사의 물량을 차질 없이 생산하며 시장 신뢰를 확고히 다지는 것이 중요하다는 설명이다.

업계 관계자는 "삼성전자의 미국 테일러 공장은 단순 증설이 아니라 글로벌 고객을 현지에서 직접 대응할 수 있는 전략적 거점"이라며 "초기 수율과 공정 안정성이 확보될 경우 TSMC에 집중된 수요를 일부 흡수하는 계기가 될 수 있다"고 평가했다.