미국 정부가 반도체과학법(반도체법)상 3억달러 미만 소규모 소재·장비 제조시설 투자에 대한 지원 계획을 추가로 발표했다. 기존 지원기준과 절차를 다소 완화했다는 점이 골자다.

미국 상무부는 29일 18시(한국시간) 반도체법 상의 인센티브 프로그램 중 3억달러 미만 소재·장비 제조시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획을 공고했다.

공고에 따르면, 미국 상무부는 2억달러 미만 투자는 지원대상이 되기 어렵다는 입장이다.

반도체법에 따라 미 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 △반도체 제조시설 △반도체 소재·장비 제조시설 △R&D 시설 투자에 대한 지원으로 구성된다.

이번 공고는 앞서 발표한 △반도체 제조시설(2월28일) △웨이퍼 제조시설 및 3억달러 이상 소재·장비 제조시설(6월23일) 투자에 대한 세부 지원계획에 이어 세 번째로 발표한 세부 지원계획이다. R&D 시설 투자에 대해서는 추후 발표할 예정이다.

미 상무부는 이번 공고를 기존 세부 지원계획과 별도 문서로 공고했으며, 소규모 투자를 대상으로 한다는 점을 고려해 기존에 발표된 지원기준과 절차를 다소 완화하거나 변경했다.

이에 따라 대출(보증)은 제외하고 직접보조로 지원하며, 지원 규모는 일부 예외는 있으나 투자액의 10%를 지원한다. 경제·국가안보상 강점이 있거나 상업적 생산을 위한 추가 지원이 필요한 경우 20%, 30% 지원이 가능하다.

또 요구조건에 있어서도 미 상무부는 반도체 제조설비와의 연계 등을 통한 공급망 강화를 강조하는 한편, 초과이익 공유, 보육서비스 제공 의무 등의 요건은 제외됐다.

또 신청절차도 변경돼 신청기업들은 계획서를 제출하고 동 계획서를 기반으로 미 상무부가 선정한 기업들이 별도의 본 신청을 진행한다.

한편 지난 22일 발표된 가드레일 세부 규정 최종안에 따르면 소재 및 장비 제조 시설 투자는 중국 내 설비확장 제한을 제한을 적용받지 않는다.

산업부 관계자는 "우리 업계는 이번 공고를 바탕으로 미 상무부의 인센티브 프로그램을 구체 검토해 대응하겠다는 입장"이라며 "정부는 이번 공고가 업계에 미치는 영향을 업계와 긴밀히 논의하고 우리 기업의 원활한 투자·경영활동을 지원하기 위해 미 정부와 협력해 나갈 계획"이라고 밝혔다.