[메트로신문 정은미기자] 삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 '128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈'을 본격 양산한다고 26일 밝혔다.

128GB D램 모듈은 서버용인 'RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)'으로 지난해 8월 선보인 64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈보다 2배 빠른 동작속도를 구현하면서도 소비전력을 절반 수준으로 낮춘 게 특징이다.

와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있는 ′TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 사용해 이같이 구현했다고 회사 측은 설명했다.

128GB D램 모듈은 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램칩 총 144개로 이뤄져 있으며 외관상 각 칩을 TSV 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재한 모습이다.



삼성전자는 이번 제품이 그린 IT의 요구 사항을 모두 만족해 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터센터를 위한 솔루션이라고 소개했다.

삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM' 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.

삼성전자 최주선 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 " 128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며 "향후 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 컨슈머 시장용 제품도 적기에 양산해 새로운 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도하고 차별화된 사업 위상을 더욱 강화할 예정이다.

■용어 설명

TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)은 데이터센터·서버용 D램 모듈의 한 종류로 빠른 속도와 높은 신뢰성을 특징으로 한다.

LRDIMM(Load Reduced Dual In-line Memory Module)은 데이터센터·서버용 D램 모듈의 한 종류로 대용량 구현에 최적화된 형태이다.